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第三代半导体上车提速:SiC器件在新能源汽车中的渗透率持续提升

发布时间:2026-03-25 来源:翎氪电子

近年来,随着新能源汽车800V高压平台的加速普及,碳化硅(SiC)功率器件的市场渗透率持续攀升。

相比传统硅基IGBT,SiC MOSFET具备更低的开关损耗与更高的工作频率,可显著提升电驱系统效率、缩小体积并延长续航里程。目前主流车企的主驱逆变器、车载充电机(OBC)与DC-DC转换器均已大规模导入SiC方案。

翎氪电子已与多家SiC原厂建立合作,可为客户提供从选型、样品到批量交付的全周期支持。